2SD1980TL
- ПроизводительROHM Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-252-3
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия 2SD1980
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel