STGIPS20C60
- ПроизводительSTMicroelectronics
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 46 W
- Упаковка / блок SDIP-25
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube