FS75R07U1E4
- ПроизводительInfineon Technologies
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Six-Pack
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 275 W
- Упаковка / блок SmartPACK1
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray