IXGR6N170A
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5.4 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5.5 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube