Искать:
STGIPQ8C60T-HZ
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Half Bridge
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 8 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности 19.2 W
  • Упаковка / блок N2DIP-26
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -