FF400R33KF2C
- ПроизводительInfineon Technologies
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3300 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 660 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 4.8 kW
- Упаковка / блок IHM
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray