FF1200R17IP5BPSA1
- ПроизводительInfineon Technologies
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1200 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок PrimePack2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray