APTGT30H170T3G
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Full Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 210 W
- Упаковка / блок SP3-32
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube