Искать:
APTGT25X120T3G
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация 3-Phase
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
  • Pd - рассеивание мощности 156 W
  • Упаковка / блок SP3-32
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube