Искать:
APT150GT120JR
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 170 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 900 nA
  • Pd - рассеивание мощности 830 W
  • Упаковка / блок SOT-227-4
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube