Искать:
STGIPQ3H60T-HL
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
  • Конфигурация Half Bridge
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Упаковка / блок N2DIP-26
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube