Искать:
APTGT150DH60TG
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 225 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
  • Pd - рассеивание мощности 480 W
  • Упаковка / блок SP4
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube