MWI30-06A7T
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
- Pd - рассеивание мощности 140 W
- Упаковка / блок E2-18
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk