IXA30RG1200DHGLB-TRR
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
- Pd - рассеивание мощности 147 W
- Упаковка / блок SMPD-9
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Reel