APTGL90H120T3G
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Full Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 110 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 385 W
- Упаковка / блок SP3-32
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube