APTLGL325A1208G
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 420 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 1.5 kW
- Упаковка / блок LP8
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk