Искать:
APTGL475U120D4G
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 610 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности 2.082 kW
  • Упаковка / блок D4-5
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk