Искать:
APTGT300A170D3G
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
  • Pd - рассеивание мощности 1.47 kW
  • Упаковка / блок D3-11
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk