MKI100-12F8
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 125 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 640 W
- Упаковка / блок E3-Pack
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk