FPF2G120BF07ASP
- ПроизводительON Semiconductor / Fairchild
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Triple
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 2 uA
- Pd - рассеивание мощности 156 W
- Упаковка / блок F2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray