Искать:
IFCM30T65GDXKMA1
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация 2-Phase
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 1 mA
  • Pd - рассеивание мощности 60.4 W
  • Упаковка / блок MDIP-24
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube