BSM200GD60DLC
- ПроизводительInfineon Technologies
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 226 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 700 W
- Упаковка / блок EconoPACK 3A
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray