APT85GR120L
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 170 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 250 nA
- Pd - рассеивание мощности 962 W
- Упаковка / блок TO-264-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube