FSAM75SM60A
- ПроизводительON Semiconductor / Fairchild
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 250 uA
- Pd - рассеивание мощности 189 W
- Упаковка / блок SPM32-AA
- Минимальная рабочая температура - 20 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube