Искать:
STGIF10CH60TS-E
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация 3-Phase Inverter
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности 33 W
  • Упаковка / блок SDIP2F-26
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -