APT100GT120JU3
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 480 W
- Упаковка / блок ISOTOP-4
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube