VS-ETF150Y65N
- ПроизводительVishay Semiconductors
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Half Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 201 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 600 W
- Упаковка / блок EMIPAK-2B
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube