Искать:
STGIB10CH60TS-E
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности 66 W
  • Упаковка / блок SDIP2B-26
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -