Искать:
APTGT150H170G
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Full Bridge
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 250 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
  • Pd - рассеивание мощности 890 W
  • Упаковка / блок SP6
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube