Искать:
IXGX50N120C3H1
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 95 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Упаковка / блок PLUS247-3
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка -