IXGH60N60C3D1
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 380 W
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube