Искать:
APT200GT60JR
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 195 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA
  • Pd - рассеивание мощности 500 W
  • Упаковка / блок ISOTOP-4
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube