Искать:
APT80GP60B2G
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
  • Pd - рассеивание мощности 1.041 kW
  • Упаковка / блок T-Max-3
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube