FAM65HR51DS2
- ПроизводительON Semiconductor
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Quad
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 135 W
- Упаковка / блок APMCA-B16-16
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube