Искать:
APT100GT120JRDQ4
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 123 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
  • Pd - рассеивание мощности 570 W
  • Упаковка / блок ISOTOP-4
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube