Искать:
MWI50-12A7T
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Hex
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 85 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Упаковка / блок E2
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk