Искать:
MG12300D-BA1MM
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 450 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
  • Pd - рассеивание мощности 1800 W
  • Упаковка / блок Package D
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk