Искать:
VS-GB150YG120NT
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация 4-Pack
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 182 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 440 nA
  • Pd - рассеивание мощности 892 W
  • Упаковка / блок ECONO3
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk