APT50GP60JDQ2
- ПроизводительMicrochip / Microsemi
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 329 W
- Упаковка / блок ISOTOP-4
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube