A1P35S12M3-F
- ПроизводительSTMicroelectronics
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Sixpack
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
- Pd - рассеивание мощности 250 W
- Упаковка / блок ACEPACK1
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка -