MG06400D-BN1MM
- ПроизводительLittelfuse
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 1.2 uA
- Pd - рассеивание мощности 1400 W
- Упаковка / блок Package D
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk