Искать:
FGA50S110P
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-3PN
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1100 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
  • Pd - рассеивание мощности 300 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия FGA50S110P
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube