FGA50S110P
- ПроизводительON Semiconductor / Fairchild
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3PN
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1100 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Pd - рассеивание мощности 300 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия FGA50S110P
- Квалификация -
- Упаковка Tube