STGD3NB60SDT4
- ПроизводительSTMicroelectronics
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-252-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A
- Pd - рассеивание мощности 48 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия STGD3NB60SD
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel