Искать:
IXDP35N60B
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-220-3
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия IXD_35N60
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube