Искать:
STGB4M65DF2
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок D2PAK-3
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 8 A
  • Pd - рассеивание мощности 68 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия STGB4M65DF2
  • Квалификация -
  • Упаковка -