IXGH15N120B2D1
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия IXGH15N120
- Квалификация -
- Упаковка Tube