Искать:
RGTH60TS65GC11
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок -
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 58 A
  • Pd - рассеивание мощности 194 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия RGTH60TS65
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube