IXBT12N300HV
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-268-2
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.8 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
- Pd - рассеивание мощности 160 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия Very High Voltage
- Квалификация -
- Упаковка Tube