Искать:
IGB01N120H2
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-263-3
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия IGB01N120
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel