Искать:
STGWT80H65FB
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Упаковка / блок TO-3P
  • Вид монтажа Through Hole
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
  • Pd - рассеивание мощности 469 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Серия STGWT80H65FB
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube